Etude et simulation d’une nouvelle structure des cellules photovoltaïque à base de CZTSSe (Cu(In,Ga)Se2(CIGS)/Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe) CdS/ZnO par SCAPS-1D

Abstract

Parmi les semi-conducteurs quaternaires les plus prometteurs pour améliorer les performances des cellules photovoltaïques en couches minces on trouve le Cu2ZnSn (S, Se)4 CZTSSe composé avec des éléments abondants et non toxiques. En plus d’un gap direct, le CZTSSe et ces atouts, représente un excellent candidat pour alterner les autres matériaux des éléments chalcogènes comme le CIGS et CdTe utilisés dans les photopiles en couches minces. Ce travail a pour but, d’étudier les comportements des caractéristiques électriques des cellules photovoltaïques à base de CZTSSe passant par l’optimisation des paramètres primordiales tels que l’épaisseur et le dopage des couches de structure typique de ZnO/ CdS/ CZTSSe/ CIGS, on évalue encore l’influence de la température, de la résistance série sur les performances de la cellule solaire, cette étude est effectuée par le simulateur SCAPS-1D.