Etude des cellules solaires à base de silicium nanocristallin

Abstract

Dans cette présente étude, nous avons simulé la cellule solaire nc-Si:H(p) / a-Si:H(n) en examinant l’effet de la variation de l’épaisseur des couches nc-Si:H(p), a-Si:H(n) sur les paramètres de cellule photovoltaïque , la tension VOC , la densité du courant JSC ,le facteur de forme FF et le rendement ղ . Nous avons aussi simulé une deuxième cellule nc-Si:H(p) / SnS /a-Si:H(n) en étudiant l’effet de la variation de l’épaisseur de la couche SnS.Cette la simulation a été réalisée en utilisant le logiciel SCAPS (Solar Cell Capacitance Simulator), avec une température de fonctionnement 300 K , et un rayonnement AM 1,5 avec une densité de puissance incidente de 1000w/m².