Étude des propriétés électroniques, optiques et élastiques du composé binaire de type III-V et leur alliage

Abstract

Les semiconducteurs III-V présentent des performances exceptionnelles lorsqu’ils sont utilisés dans des dispositifs optoélectroniques et d’autres applications dans le développement de nouvelles technologies. L’objectif de ce travail est d’étudier les propriétés structurales, électroniques, optiques et élastiques de l’alliage Ga1−xAlxAs en fonction de la concentration de Al. On a conclu que le paramètre de maille diminue avec l’augmentation de la concentration en Aluminium. Le gap de l’alliage ternaire de Ga1−xAlxAs augmente en augmentant la concentration x (Al). La constante diélectrique statique ε1(0) et l’indice de réfraction statique n(0) diminue avec l’augmentation de la concentration x de Al. Les constantes élastiques (C11, C12 et C44) augmentent avec l'augmentation de la concentration de d’Aluminium (Al). Et en fin notre alliage est mécaniquement stable pour toutes les valeurs x car les constantes élastiques calculées respectent les conditions de stabilité cubique.