INSIGHT INTO THE PHYSICAL PROPERTIES OF THE COMPOUND Ag2BaSnS4: DFT STUDY

Abstract

Nous avons effectué des calculs ab-initio des propriétés structurales et électroniques de composé Ag2BaSeSi4. L’objectif de cette étude est de déterminer le gap de ce semi-conducteur, il est intéressant dans les applications optoélectroniques. Le calcul a été effectué en utilisant la méthode linéaire des ondes planes augmentées à potentiel total (FP-LAPW) implanté dans le code Wien2k, dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de densité (DFT) en utilisant l’approximation de la WC-GGA en utilisant le potentiel modifié de Becke-Johnson (TB-mBJ) . Les résultats obtenus sont en concordance avec les résultats expérimentaux. La structure de bande électronique et les densités d’états partielles et totales ont été calculées.