Étude ab-initio des propriétés structurales et électroniques des composés chalcogénures de Béryllium be X (X = S,Se, et Te)

Abstract

Nous avons présentés Dans ce travail, une étude ab initio des propriétés structurales et électroniques des chalcogénures de béryllium BeX (X=S, Se, Te) Les calculs ont été effectués par la méthode des ondes planes augmentées (FP-LAPW) qui se base sur le formalisme de la fonctionnelle de la densité (DFT) implémentée dans le code Wien2k, en utilisant les approximations du gradient généralisé (GGA-PBE) et mBJ. Les paramètres structurales dans les deux phases zinc blende(B8) et NiAs (B8), ainsi que la pression de transition et la structure des bandes d’énergie. Nous rapportons les résultats concernant la variation des structures de la bande indirecte et la densité de charge des trois binaire. Un accord raisonnable est trouvé de la comparaison de nos résultats avec résultats expérimentaux d’autres calculs théoriques.