Contribution à l'étude par simulation d'une diode électroluminescente (LED) à base de InGaN/GaN à multi puits quantiques par TCAD SILVACO-

Abstract

III-V nitride semiconductor materials are useful for light emitting device in short wavelength region due to their relatively wide band gap and high emission efficiency. Different types and structures have been previously studied. In our work, multi quantum well (MQW) LED based on InGaN/GaN using Silvaco-Atlas software has been simulated and studied. The performance of InGaN quantum well based Light Emitting Diodes (multi quantum wells); (LEDs) had been numerically investigated by Tcad-Silvaco. We simulated different characteristics in this study to see the effect it will make in terms of wavelength, I-V characteristic, Luminosity power and Radaitive Recombination rate. Les matériaux semi-conducteurs à base de nitrure III-V sont utiles pour les dispositifs émetteurs de lumière dans la région des courtes longueurs d'onde en raison de leur bande interdite relativement large et de leur haute efficacité d'émission. Différents types et structures ont été précédemment étudiés dans la littérature. Dans notre travail, une LED à puits quantiques multiples (MQW) basée sur InGaN/GaN utilisant le logiciel Silvaco-Atlas a été simulée et étudiée. Les performances des diodes électroluminescentes (LED) à base de puits quantiques en InGaN (multi quantum wells) ont été étudiées numériquement par Tcad-Silvaco. Nous avons simulé différentes caractéristiques dans cette étude pour voir l'effet qu'elles auront en termes de longueur d'onde, de caractéristique I-V, de puissance lumineuse et de taux de recombinaison radaitive.