Étude Ab-initio des propriétés physiques du composé ternaire CsGaX3

Abstract

Nous avons présenté dans ce travail, une étude ab-initio des propriétés structurales, électroniques et élastique du composé CsGaS3par la méthode de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) implémentées dans la code CRYSTAL09 avec l'approximation PBE. Les résultats obtenus sont en bonne compatibilité avec les résultats antérieurs. L’investigation structurelle montre que les composés étudiés sont résistants à la pression, de plus on a constaté qu’ils sont des semi-conducteurs à gaps direct. L’analyse des populations de Mulliken dévoile la nature mixte (covalent-ionique) des liaisons.