Simulation des cellules solaires à base de silicium amorphe

dc.contributor.authorBensaad Radja
dc.contributor.authorNasri Maria
dc.contributor.authorHANNACHI Manelle
dc.date.accessioned2023-01-24T14:03:48Z
dc.date.available2023-01-24T14:03:48Z
dc.date.issued2022
dc.descriptionOPTION : Génie des Procédés des matériaux
dc.description.abstractDans cette étude, la cellule solaire à homo-jonction à base de sur une silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) de structure a-Si:H(p)/ a-Si:H(i)/ a-Si:H( n) est simulé à l’aide du logiciel de simulation unidimensionnel SCAPS 1D (Solar Cell Capacitance Simulator) version 3.9. Sous un rayonnement solaire AM 1.5 avec une densité de puissance de 100 mW cm -2 et une température de 300K. L’objectif de cette présente contribution est d’étudier les effets de l’épaisseur et de la concentration de dopage des différentes couches ainsi que la bande interdite de la couche p sur les performances de la cellule solaire, à savoir le courant de court-circuit (Jsc), la tension de circuit ouvert (Voc), le facteur de forme (FF) et le rendement (ƞ).
dc.identifier.urihttps://dspace.lagh-univ.dz/handle/123456789/3008
dc.language.isofr
dc.publisherUniversité Amar Thelidji- Laghouat FACULTE : TECHNOLOGIE DEPARTEMENT : Génie des Procédés
dc.titleSimulation des cellules solaires à base de silicium amorphe
dc.typeThesis

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