INVESTIGATION THÉORIQUE DES RÉFLECTEURS DE BRAGG DISTRIBUÉS À BASE DE SEMICONDUCTEURS III-V ET II-VI

Abstract

La faisabilité d'un réfecteur de Bragg distribué (DBR) basé sur des alliages semiconducteurs II-VI à large bande interdite est rapportée. Les spectres de réfectivité d'un DBR Zn0.66Mg0.34Se/Zn0.74Cd0.26Se sont calculés dans le cadre de la théorie des milieux stratifiés en utilisant une représentation matricielle. Les deux alliages ternaires Zn1-xMgxSe et Zn1-xCdxSe sont étudiés à l'aide de la méthode empirique du pseudopotentiel pour une composition x comprise entre 0 et 1. Cette étude se concentre principalement sur les différents gaps d'énergie, la largeur de bande de valence, les masses efficaces des électrons et des trous lourds, les constantes diélectriques statique et de haute fréquence et l'indice de réfraction. Pour le DBR sous charge, la composition x pour chaque alliage est prise de manière à obtenir une différence adéquate entre les indices de réfraction respectifs de chaque matériau constitutif. L'incidence normale et oblique sont toutes deux étudiées. Pour les deux cas, l'effet du nombre de paires a été étudié. Nous avons trouvé que la réfectivité maximale augmente à mesure que le nombre de paires augmente. La bande passante du DBR dépend de la différence des indices de réfraction. Le spectre de réfectivité est décalé vers des longueurs d'onde plus petites et la longueur d'onde de Bragg diminue à mesure que l'angle d'incidence augmente.