conception d'un simulateur dédié aux dispositifs microélectroniques: application à l'étude des propriétés électriques d'un transistor HEMT ALGaN/GaN

Abstract

A l'heure actuelle, les transistors à hétéro-structures HEMT (High Electron Mobility Transistor) à base AlGaN/GaN apparaissent comme les meilleurs candidats pour les applications hyperfréquences, de puissance, et haut température. Les avantages intrinsèques de ces transistors résident dans la contribution des polarisations spontanée et piézoélectriques donnant un gaz d’électron bidimensionnel à l’interface AlGaN/GaN qui est à la cause d’une concentration d’électron grande de l’ordre de 1.1013 C/m2 . Notre travail consiste à simuler un transistor HEMT AlGaN/GaN, en tenant compte des polarisations spontanées et piézoélectriques. Ainsi, nous avons développé un logiciel permettant de le simuler après la modélisation mathématique de cette structure.