Étude par la DFT de quelques propriétés physiques des composés AlnSe2 (A=K, Rb, Cs)

Abstract

Dans ce mémoire, nous avons présenté une étude théorique des composés ternaires chalcogénure AlnSe, de phase monoclinique, Il s'agit de calculer les propriétés structurales, électroniques et optiques, dans le cadre de la théorie de la densité électronique (DFT) en utilisant de la théorie des ondes planes (PW) et de la théorie des pseudo -potentiels (pp). Pour la détermination du potentiel d'échange et de corrélation, nous avons utilisé 1'approximation du gradient généralisé (GGA-PBE), Les paramètres de maille, les positions atomiques, la structure de bande et les propriétés optiques de ces composés ternaires ont été calculés à l'état fondamental. Les structures de bandes et les densités d'états montrent que ces matériaux ternaires AlnSe; sont des semi-conducteurs un gap direct. Pour calculer ces propriétés, on a utilisé le programme de CASTEP