Etude des cellules photovoltaïques à base d’hétérojonction de silicium a-Si/c-Si

Abstract

Dans ce travail nous avons simulé la cellule solaire a-si :H(p) /c-si :H(n) en étudiant l’effet de la variation de l’épaisseur des couches a-si :H(p) , c-si :H(n) et la variation de l’énergie de gap de la couche a-si :H(p) sur les paramètres de la cellule photovoltaïque : tension du circuit ouvert VOC ,la densité de courant JSC , facteur de forme FF et le rendement ղ . Nous avons aussi simulé une deuxième cellule a-si :H(p) /a-si :H(i)/c-si(n) en examinons l’effet de la variation de l’épaisseur de la couche a-si :H(i).Cette la simulation a été réalisée par le logiciels SCPAS-1D.